SiGeC HBTの真性及び外部ベースのプロセス設計

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2006-10-03

著者

• 清田 幸弘

  ソニーセミコンダクタソリューションズネットワークカンパニー

• 清田 幸弘

  ソニー

• 山縣 秀夫

  ソニーセミコンダクタ九州

関連論文

• SiGeC HBTの真性及び外部ベースのプロセス設計
• ブランケットSiGeCエピタキシャル成長を用いたHBTの真性及び外部ベースのプロセス設計
• 半導体Aセッション (シリコン)
• 瞬間気相ドーピング法

スポンサーリンク