積層無秩序構造を有したSiCの緻密化に及ぼすAIN添加の効果

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概要

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• Consolidation of SiC powder with stacking disordered structure was accelerated by milling with the AIN as the additive. SiC powders without the additive were sintered at 1900℃ to a density of 99%. The grain size of the sintered material was approximately 500nm. On the other hand, with AIN as additive, the sintering temperature to reach a density of 98% was reduced to 1700℃ by the addition of 1.0mol% AIN. The grain size of this material was approximately 50nm. The effect of AIN addition on SiC sintering with disorder-order transformation was evaluated by shrinkage profile, XRD analysis, and TEM observation.

• 社団法人日本セラミックス協会の論文
• 2006-02-01

著者

• 大柳 満之

  龍谷大学理工学部

• 山本 武志

  龍谷大学理工学研究科物質化学専攻

• 白井 健士郎

  龍谷大学大学院理工学研究科物質化学専攻

• 山本 武志

  龍谷大学大学院理工学研究科物質化学専攻

• 大柳 満之

  龍谷大学大学院理工学研究科物質化学専攻

• MUNIR Zuhair

  Facility for Advanced Combustion Synthesis (FACS), Department of Chemical Engineering and Materials

• 大柳 満之

  龍谷大学理工学研究科物質化学専攻

• Munir Zuhair

  Facility For Advanced Combustion Synthesis (facs) Department Of Chemical Engineering And Materials S

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