CVD法によるSiCエピタキシャル成長と不純物ドーピング

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 日本セラミックス協会の論文
• 2005-01-01

著者

• 木本 恒暢

  京大工

• 木本 恒暢

  Kyoto University

関連論文

• 27aVA-9 SiCの高密度励起発光ダイナミクス(27aVA 高密度励起現象,領域5(光物性))
• 22pYH-1 SiCの高密度電子正孔液滴(22pYH 高密度励起現象・励起子,領域5(光物性))
• CVD法によるSiCエピタキシャル成長と不純物ドーピング
• 基板CMPによるSicエピ膜中の基底面転位密度の低減
• SiCパワー半導体デバイスの特徴と最近の開発動向
• 25aHA-6 SiCにおける高密度電子正孔液滴の発光ダイナミクス(25aHA 顕微・近接場分光/高密度励起現象,領域5(光物性))

スポンサーリンク