ピエゾ抵抗式圧力センサを用いたMEMSデバイス低ストレス実装評価に関する考察
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概要
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The performance of MEMS devices are influenced by the structure surrounding MEMS devices strongly because the output of it is small and moreover it is complex and minute structure. For such MEMS devices, low stress packaging is indispensable to high performance and high reliability. We tried to evaluate stress transmitted from the package to the chip and the offset voltage evaluation of piezoresistive pressure sensor by the finite element method. Stress buffer package structure is proposed to a result of the above. Changes of an offset voltage were able to be decreased by alleviating stress from the package to 20% of the rations so far, and it was verified that it could be applied to other piezoresistive devices.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2004-05-01
著者
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高見 茂成
先行・融合技術研究所 半導体開発センター
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赤井 澄夫
先行・融合技術研究所 半導体開発センター
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後藤 浩嗣
先行・融合技術研究所 半導体開発センター
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宮島 久和
先行・融合技術研究所 半導体開発センター