青色発光デバイスと窒化物半導体の進展

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概要

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• Breakthroughs in crystal growth and conductivity control of nitride semiconductors during last two decades have led to such developments as high-brightness blue, green and white light-emitting diodes and long-lived violet laser diode and so forth. The high electron saturation velocity in GaN is also suitable for application in high-speed/high power electronic devices. All of these nitride-based devices are the most environmentally-friendly ones available. They are tough and should enable a tremendous saving in energy. Further progress in the area of crystal growth and device engineering is necessary for the development of new frontier devices based on nitride semiconductors.

• 社団法人 電気学会の論文
• 2004-02-01

著者

• 赤崎 勇

  名城大学 理工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター

• 赤 勇

  名城大学 理工学研究科 ハイテク・リサーチ・センター

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