半導体 B(探索的材料・物性・デバイス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
31pYH-15 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明
-
24pC-8 ESRによる酸素共添加InP:Erの電子状態の解析
-
28p-YN-7 ESRによるInP:Erの電子状態の解析
-
21pTH-8 X-band ESR による GaAs : Er, O の発光中心の解明 II
-
25a-YE-11 InP基板上の半金属ErP島構造の量子サイズ効果
-
フェイスダウンOMVPE法により作製したInP上のErP成長形態の基板面方位依存性 : エピキタシャル成長III
-
25pXD-6 In_Ga_AS/InP多重量子井戸の正孔緩和ダイナミクス
-
31a-ZG-12 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトルII
-
25a-YN-2 InGaAs薄膜の近赤外領域におけるフェムト秒過渡吸収スペクトル
-
17pTG-1 ESRによるGaAs:Dyの電子状態の解析
-
28aTB-5 ESRによる酸素共添加Ga As; Erの電子状態の解析III
-
23pSB-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析II
-
22aK-13 ESRによる酸素共添加GaAs;Erの電子状態の解析
-
半導体 B(探索的材料・物性・デバイス)
-
18aPS-20 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス II
-
27aYA-5 In_Ga_As/InP多重量子井戸の電子 : 正孔対緩和ダイナミクス
-
6pSL-3 ESRによるZnドープGaAs:Er,Oの電子状態の解析II(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
-
6pSL-4 ESRによるオフセット基板上に成長させたGaAs:Er,Oの電子状態の解析(不純物・格子欠陥,領域10,領域4合同,領域10)
-
25pWE-5 ESRによるZnドーブGaAs:Er,Oの電子状態の解析(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
25pYF-8 InGaAs/InP多重量子井戸構造における界面揺らぎの断面STM観察(25pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク