In-Se熱処理過程のX線回折分光法,アノーディックストリッピングボルタンメトリーによる評価
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 電着初期におけるセレンパッシベーション膜上のIn-Se粒成長
- ホットウォール法によるZnドープInSe薄膜の作製と評価
- 反応蒸着法で作製した窒化チタニウム薄膜
- ホットウオール法によるCu_2-_xSe薄膜の作製と評価
- Lead Attachmentについての考察
- 超音波による電子回路部品のリード端子接着について
- InSe電着膜の成長 : 基板としての電極材料の影響
- In-Se熱処理過程のX線回折分光法,アノーディックストリッピングボルタンメトリーによる評価
- SnO_2スパッタ膜のマグネトロン磁場依存性
- ZnO:Al スパッタ薄膜の諸特性に及ぼす基板温度の影響
- 反応性スパッタリングによるZnO : Al透明電導膜の低温作製法
- X線の異状分散によるCdSの極性の決定
- 24a-H-9 CdS-MnSの光学,磁気特性(II)
- サマリー・アブストラクト
- サマリー・アブストラクト
- ZnO : Alエピタキシャル薄膜の電気特性の膜厚依存性
- マグネトロン化のための簡易型ターゲットホルダーの試作
- 金属ターゲットを用いた反応性rfマグネトロンスパッタリングによるAlドープZnO薄膜の作製
- 反応性rfスパッタZnO : Al薄膜へのZn拡散の効果
- ZnO反応性スパッタリング過程の発光分光法による研究
- ホットウォ-ル蒸着法によるSrSe薄膜の作製 (第29回真空に関する連合講演会プロシ-ディングス)