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ULSI Research div., Fujitsu Laboratories Ltd. | 論文
- オゾン酸化による薄い酸化膜の形成〔英文〕 (電子材料技術の新展開)
- Impact of Nitrogen Profile in Gate Oxynitride on Complementary Metal Oxide Semiconductor Characteristics
- Impact of Nitrogen Profile in Gate Oxynitride on CMOS Characteristics