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NTT-AT | 論文
- 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-5 電子スピンを介した高周波電場によるNMR(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
- 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
- SC-10-10 ポリマー光集積回路の作製と素子特性
- ポリイミド基板上に作製した有機EL素子の応答特性に関する研究
- C-13-5 ポリマー光集積回路の横討 II ルブレンを用いた有機EL素子の特性
- 色素ドープ型有機EL素子による光集積回路光源への適用
- 18pYH-1 v = 2/3量子ホール状態におけるヒステリシス現象
- 18aYH-9 2層系v=1量子ホール状態の電子密度差に対する励起状態の交差
- 27pTC-10 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差および総電子密度依存性
- 23pSA-8 2層系ν=2/3量子ホール状態の電子密度差依存性
- パワーエンベロープ伝達関数の逆フィルタ処理による残響音声の回復
- 剛球による散乱音場の位相特性
- 球体による散乱音場の位相特性
- 最小位相成分とパワーエンベロープに着目した残響音場における音源波形回復
- 電話機操作インタフェース評価法の検討
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