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NTT物性科学基礎研究所 | 論文
- 30pTX-7 自己形成InAsドットを含む4ゲート縦型構造に形成された多重量子ドットの電気伝導特性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 28aVE-8 量子ドット電荷検出計と結合した並列結合2重量子ドットにおける量子干渉効果(28aVE 量子細線・量子コヒーレンス・近藤効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-3 二次元正孔系のスピン共鳴とスピン軌道相互作用(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 21aYF-4 並列結合2重量子ドット系における近藤効果(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-6 二次元正孔系のスピン共鳴(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-12 微小磁石を集積した量子ドットにおける選択的ラビ振動(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYF-8 並列結合2重ドットにおけるAharonov-Bohm効果(20pYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYF-5 結合3重量子ドットにおける2電子・3電子状熊の励起スペクトル(20aYF 量子ドット・量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aTE-6 Si(111)面(1x1)-(7x7)構造変化に関する微斜面効果II : modified RSOS-I模型による密度行列繰り込み群計算(27aTE 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23pXB-6 吸着子による熱的なステップ端上段/下段デコレーション : 変形RSOS-Ising結合模型のモンテカルロ・シミュレーション(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21pPSB-7 スピン1の2次元ボース・ハバードモデルにおけるモット転移の解析(21pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 20pGS-6 金属型カーボンナノチューブのGモードのコヒーレントフォノンの観測(20pGS ナノチューブ,領域7(分子性固体・有機導体))
- 21aHV-2 静電結合した並列2重量子ドットにおける近藤効果(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pPSB-51 軌道自由度を持つ量子ドットと強磁性リードの接合系における近藤効果II(20pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 波長210nm遠紫外発光ダイオードの高効率化 (特集 材料基礎研究最前線)
- 超高速XAFS分光法によるフェムト秒レーザーアブレーションプルームの時空間発展ダイナミクス計測
- 22pTD-6 3次元光格子中のYbボース・フェルミ混合系の振る舞い(22pTD 量子エレクトロニクス(量子縮退気体),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- シリコンカーバイド上のグラフェン成長 (特集 材料基礎研究最前線)
- 26pPSB-25 傾斜SiC上グラフェンの空間層厚制御と電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 27pYE-4 SiC(0001)上のC原子の吸着構造とその安定性(グラフェン電子物性(形成と評価),領域7,分子性固体・有機導体)
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