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NTT物性基礎研 | 論文
- 『新しい光源が変えるナノサイエンス, バイオテクノロジーの世界』報告
- 27pVE-12 分数量子ホール領域の円偏光発光スペクトル(27pVE 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27pTX-4 RF電場により誘起された電子スピンドメイン振動による核スピン共鳴(27pTX 量子ホール効果/半導体スピン物性,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20pYK-9 v=2/3分数量子ホール状態における核スピン偏極の光検出(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 20aYK-5 二次元電子系発光ピーク分裂エネルギーの電子密度依存性(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23aQG-1 量子ホール状態を用いた局所的NMR(23aQG 磁気共鳴一般・実験技術開発・磁性一般,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 21pTG-7 低電子密度領域二次元電子系発光による電子・正孔有効質量の増大の検出(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTG-8 非ドープGaAs量子井戸の中性励起子と荷電励起子(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-5 電子スピンを介した高周波電場によるNMR(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pRC-2 抵抗検出NMRでみる核スピン間の双極子相互作用によるデコヒーレンス効果(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 18pTA-1 非ドープGaAs量子井戸におけるキャパシタンスと荷電励起子発光の対応(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aYC-7 表面ゲートによって形成される量子ドット列における発光測定(量子閉じ込め・輸送現象・サイクロトロン,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-8 InAs/GaSbヘテロ構造の量子ホール効果 : 2DEGのQHEとネットキャリアのQHEの交錯(量子ホール効果)(領域4)
- 29pYF-6 InAs/AlGaSbピエゾ抵抗カンチレバーにおける量子効果(半導体スピン物性)(領域4)
- 13aXA-7 GaAs のフェムト秒チャープ制御ポンプ・プローブ応答(超高速現象, 領域 5)
- 20pYK-13 2層系量子ホール状態における磁気抵抗のマイクロ波応答(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23pWH-10 2層系v=1量子ホール状態における2層独立化と磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-4 ν=2/3状態のスピン相転移点における核スピン緩和時間の面磁場方向依存性(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-11 2層系ν=1量子ホール状態における磁気抵抗異常(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 21pTH-12 2層系ν=1/3量子ホール状態における層間電子密度差に応じた活性化エネルギーの連続変化(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
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