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NTT物性基礎研:JST-CREST | 論文
- 31a-YA-11 磁気トラップ中のボーズガスの蒸発冷却に関する運動方程式
- 低反射率ファブリペロー型半導体レーザの雑音特性
- 24aRP-3 光格子中の3成分斥力フェルミ原子系の有限温度での性質(24aRP 量子エレクトロニクス(フェルミオン),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26aZE-8 光格子中の3成分斥力フェルミ原子系の量子相転移(量子エレクトロニクス(Fermi粒子系,及びBose-Fermi混合系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 30aPS-22 光格子中フェルミ原子気体の反強磁性秩序に対する多軌道の効果(30aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 28pSK-14 3成分の内部自由度を持つ冷却フェルミ原子気体系の相転移 : 有限温度の解析(28pSK 量子エレクトロニクス(Bose粒子系,及びFermi粒子系の理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 28pSK-13 光格子中の3成分の内部自由度を持つフェルミ原子気体の量子相転移(28pSK 量子エレクトロニクス(Bose粒子系,及びFermi粒子系の理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 20pPSA-19 2次元ハバード模型のモット転移 : 自己エネルギー汎関数法による解析(20pPSA 領域8ポスターセッション(低温:Mn酸化物,V酸化物,鉄オキシニクタイドなど),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- C-3-57 フォトニック結晶と機能材料の複合技術
- 3次元フォトニック結晶へのIIIV族化合物半導体活性層の埋込み
- 低損失フォトニック結晶スラブ導波路の作製・評価と解析(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 23aPS-35 多成分の内部自由度を持つフェルミ原子気体の量子相転移(23aPS 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 22pZD-13 光格子中のフェルミ原子気体における多軌道の効果(22pZD 量子エレクトロニクス(Fermi原子系の理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22pZD-12 トラップされた光格子フェルミ粒子系における超固体状態(22pZD 量子エレクトロニクス(Fermi原子系の理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23aRF-12 トラップされた光格子フェルミ粒子系における超流動状態と反強磁性状態(量子エレクトロニクス(光学格子系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 23aRF-11 光格子中のフェルミ原子気体における超流動-絶縁体転移(量子エレクトロニクス(光学格子系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 24aPS-22 DMFTによる光格子中のフェルミ原子気体の解析(領域11ポスターセッション,領域11,統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理)
- 25pRD-8 2次元S=1ボース・ハバードモデルの多重占有モット絶縁相近傍における量子相転移(25pRD 量子エレクトロニクス(Bose粒子系,及びFermi粒子系の理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pRA-4 蒸発冷却運動論に基づくNa凝縮体生成実験(26aRA 量子エレクトロニクス(冷却原子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aRD-7 光格子中の3成分フェルミ原子気体のモット相近傍における性質(25aRD 量子エレクトロニクス(Fermi粒子系,及びBose-Fermi混合系の理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
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