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NTT基礎研 | 論文
- 半導体ナノ構造の量子輸送 : 最近の研究動向
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 6p-N-4 量子ドット構造における単一電子トンネルと単一光子放出
- 量子ホール領域におけるスピン分離
- 量子ホール領域におけるスピン分離
- 伝導でみた半導体人工原子のフント則
- H. Mizuta and T. Tanoue, The Physics and Applications of Resonant Tunneling Diodes, Combridge Univ. Press, Cambridge, 1995, xii+236p., 23×15cm, 8,750円 [大学院生・専門向]
- 3p-YE-3 微小縦形トンネルトランジスタの単電子トンネル効果
- 29p-J-4 半導体微細構造の量子輸送
- 化合物半導体結晶成長過程とエレクトロンカウンティングモデル
- 5a-A-1 GaAs(001)表面におけるSi吸着初期過程の第一原理的考察
- 30p-G-5 シリコンクラスターにおける励起子の第一原理的計算
- シリコンクラスターの誘電率と励起子状態
- 半導体成長素過程の量子論(エピタキシャル成長の量子論)
- 2p-YA-1 半導体表面の構造のダイナミクス:序論
- ナノ結晶における多励起子状態と誘導吸収II
- ナノ結晶における多励起子状態と誘導吸収I
- 無電解CoNiP垂直磁気記録媒体の組成分離構造の解析
- 18aWA-8 メゾスコピックNiディスクにおける単磁区と閉フラックス磁区の可逆的スイッチング
- 放射光光電子顕微鏡(SR-PEEM)による微小磁性体の磁区構造観察