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NTT基礎研 | 論文
- 無重力下の結晶成長(無重力下の化学現象)
- 狭バンドギヤップ三元混晶半導体鉛すずテルル単結晶の成長(無重力下における結晶成長)
- 4a-YE-4 La_Cu_Cu_2O_単結晶の高温抵抗率
- Pb_Sn_xTeの微小重力下結晶成長 : 融液成長(一般)II
- 25p-T-8 InGaN中の格子欠陥の第一原理計算
- III-N系半導体の深い準位の理論 : GaN/AlN系は、電子デバイスとして「もの」になるか?
- III-N系半導体の深い準位の理論 : GaN/AlN系は、電子デバイスとして「もの」になるか?
- 重水素化パラジウムからのヘリウム-4生成の検出
- ヘリウム-4 生成と熱の発生の相関
- 28a-D-8 Al_xGa_Asの中のDXセンターのフォトルミネッセンス
- 27a-C-9 InGaAs三元混晶における伝導電子状態に対する不規則効果
- 28p-G-13 Pd:D/Hにおける急激な構造相転移と異常核効果
- 31a-Z-10 GaAs及びAlGaAsにおけるDXセンターの起源
- 31a-Z-9 GaAsにおけるDXセンターの最適原子配置
- 6p-C-3 GaAs中の深いドナー準位-DXセンター-の基底状態と最適原子配置
- 4a-C-16 単原子層挿入系における電荷移動
- 6a-A2-13 III-V族半導体-絶縁体の界面準位 : 散乱論的アプローチ
- 28a-F-8 GaAs-AlAs超格子電子構造の面方位依存性
- 高密度磁気記録用Co-Cr合金薄膜の相分離
- 29a-QD-10 イオンビームスパッタBe薄膜におけるTc、Hc_2、R_H