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NEC Fundamental Research Laboratories | 論文
- Far Infrared Optical Properties of Amorphous As-Se System
- カーボンナノチューブ技術 (ナノテクノロジー特集) -- (ナノテクノロジー基盤技術)
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- 17pTJ-1 メンブレン構造上の単層カーボンナノチューブの電気伝導
- 28aYX-9 単層カーボンナノチューブにおけるホッピング伝導
- 25aF-11 金超微粒子を用いた単層カーボンナノチューブの炭素不純物除去
- アンチドット格子中の複合フェルミオン
- 30a-Q-9 分散量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 30a-Q-9 分数量子ホール状態における電気容量の試料形状依存性
- 8a-N-14 分数量子ホール状態における磁気電気容量
- アンチドット格子における絶縁体 : 量子ホール液体転移
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- 13p-DF-5 半導体ネットワークにおけるバリスティック電子波干渉
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- 29p-X-6 量子ホール効果状態での電子の干渉性 II
- 29p-ZK-9 アンチドット構造における磁気輸送現象
- 28a-C-8 量子ホール効果状態での電子の干渉性
- 29pYS-5 アンチドット格子における電子波伝播
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- 31p-YA-6 アンチドット系の量子輸送現象(実験的側面)