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NEC基礎研 | 論文
- 28p-APS-30 傾斜基板上のBi系単結晶薄膜合成とその電気伝導異方性
- 25a-PS-74 Nd_Ce_xCuO_薄膜の電気特性の酸素濃度依存性
- Tl_2Ba_2CuO_5単結晶の合成と評価
- 5p-ZA-6 Pb_2Ba_2(Y_Ca_x)Cu_3O_の合成と評価
- 5a-Y-14 Tl系超伝導体における元素置換と構造の関係
- イオンビーム・スパッタ法による酸化物超伝導薄膜
- 28p-PS-38 IBS法による酸化物超伝導薄膜の特性
- 29p-D-3 MEMによるLi_2CsC_, K_2RbC_, Rb_2CsC_の電子密度分布
- 2a-S-4 X線回折によるアルカリ金属ドープC_60の電子密度
- 29a-PS-19 中性子散乱でみたFe/Cr人工格子の界面の乱れ
- 26a-PS-24 Fe/Cr人工格子による偏極中性子反射と界面の乱れ
- 2a-N-3 高圧力下の構造研究 : Cr合金の相転移(中性子線実験)
- 1a-L-12 Cr合金の相転移
- 2p-S-4 KENS・偏極冷中性子散乱装置
- マイクロボンベを使用した高圧下での中性子回折
- 5a-R-5 希薄Cr合金の高圧下中性子回折
- 3p-LC-5 稀薄Fe-Cr,稀薄Si-Crの圧力効果(中性子回折)
- 11p-B-3 稀薄Fe-Cr合金の中性子回折(圧力効果)
- 4p-L-9 T.O.F.法による高圧下の中性子散乱
- 2a-PS-46 C_超伝導体におけるTcの圧力・磁場効果