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Moscow State Univ. | 論文
- 25aSA-7 層状半導体Sb_Sn_xTe_3(0≤x≤0.015)における強磁場磁気抵抗とホール抵抗測定
- 20aPS-15 バルク量子ホール系の示す量子ネルンスト効果(20aPS 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- FePt-SiO_2薄膜における磁気光学効果の測定
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 31a-YP-8 希薄磁性半導体Hg_Mn_xTe_Se_yの電流磁気効果
- 26p-PSA-2 CuMnO_2のNMR
- 一次元磁性フォトニック結晶中のタム状態の実験的観測
- 23aYE-8 量子リラクサーLi添加KTaO_3における臨界現象のLi濃度依存性(誘電体・誘電体の光制御・光学応答,領域10,領域5合同講演,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 27a-YK-6 層状半導体Bi_2Te_3の表面酸化過程のXPS測定
- 6p-E-11 層状半導体Bi_Sn_xTe_3のバンド端構造のトンネル分光
- 27aYS-9 磁性不純物をドープしたBi_2Te_3の磁気特性
- 31p-ZB-4 層状半導体Bi_2Te_3の量子ホール効果
- 30p-YD-1 SHGを用いたLaBGeO5の強誘電相転移の研究
- 27p-ZC-7 新強誘電体LaBGeO_5 : II 非線形光学特性
- 27p-ZC-6 新強誘電体LaBGeO_5 : I. 強誘電相転移
- トンネル分光による層状構造半導体Bi_2Te_3のバンド端構造の温度依存性
- 3a-F-9 トンネル分光による層状構造半導体Bi_2Te_3およびSb_2Te_3のバンド端構造
- 29a-ZF-10 層状半導体Bi_2Te_3の表面酸化過程のXPS測定II
- 23aSD-10 Structures of Ξ hypernuclei
- 3a-F-10 層状半導体 Bi_Sn_xTe_3の熱電能 II