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Department of Electronics, Nagoya Institute of Technology | 論文

• 中性子照射されたシリコン n チャンネル接合形電界効果トランジスタの熱処理
• 中性子照射されたP型シリコンにおける欠陥群の易動度への影響
• Development of High Efficiency Epitaxial Silicon Solar Cells : I-3: SILICON SOLAR CELLS (III)

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