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CREST:産総研 | 論文
- 23aHS-2 電子線エネルギー損失分光スペクトルとそのEdge Threshold Energyの第一原理計算(23aHS 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション,転位,点欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 27pYG-8 Al(111)表面の第一原理局所応力計算(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 18pXB-2 界面を含む系での応力・誘電率の微視的分布および電歪の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pTE-8 分子性固体の第一原理電子状態計算における有効クーロン相互作用Uの導入効果(29pTE π-d系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 第一原理計算によるガラス中の欠陥の研究 (特集 ガラス・フォトニクス材料の最近の動向)
- 26pYK-5 金属粒界の界面結合と機械的性質の第一原理解析(シミュレーション,転位,点欠陥・照射損傷),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- AlとCuの傾角粒界とねじり粒界の安定性と界面結合の第一原理計算
- 22pWA-2 局所エネルギー密度・応力密度による金属粒界の機械的性質の第一原理解析(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 金属中の結晶粒界の機械的性質の第一原理計算 : 局所エネルギー密度・応力密度を用いた解析
- 23pYF-4 金属中の結晶粒界の構造と機械的性質の第一原理計算 : 局所エネルギー密度・応力密度による解析(格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 805 金属粒界の機械的性質の第一原理計算 : エネルギー密度と応力密度による解析(OS08.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2))
- 1006 第一原理計算による積層欠陥の局所エネルギー解析(OS10.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(2:局所性),オーガナイズドセッション)
- 202 第一原理計算法に基づく局所応力計算法の検証(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
- 201 金属粒界の強度特性の第一原理解析 : Al粒界とCu粒界(OS15.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),オーガナイズドセッション)
- 26pCL-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理計算 : 金属粒界への適用(26pCL 格子欠陥・ナノ構造・フォノン(金属・ナノ粒子・点欠陥・水素材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 20pAH-9 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属の粒界・欠陥への適用(20pAH 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・電子論),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pXS-2 局所エネルギー・局所応力の第一原理解析 : 金属粒界や異相界面への適用(27pXS 格子欠陥・ナノ構造(招待・理論・電子論・金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 27pXF-9 電子型強誘電性を示すTTF-CAの分子の電子状態の研究(27pXF 装置開発,中性-イオン性転移,領域7(分子性固体・有機導体))
- 801 局所エネルギー密度・応力密度による結晶粒界の第一原理解析(OS8.電子・原子・マルチシミュレーションに基づく材料特性評価(1),OS・一般セッション講演)
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