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静大電子研 | 論文
- SbSIの吸収端電界効果(I)
- 6a-N-2 SbSIの吸収端の電界による移動
- Sb_1-xBi_xSIの誘電的性質
- 10p-P-5 SbSIの光学的性質(III) : 吸収端の移動と分極の関係
- SbSIの吸収端におよぼす電界および温度の効果
- Interface and Domain Structures of (116)-Oriented SrBi_2Ta_2O_9 Thin Film Epitaxially Grown on (110) SrTiO_3 Single Crystal
- Interface and Defect Structures of (001)-Oriented SrBi_2Ta_2O_9 Thin Film Epitaxially Grown on (001) SrTiO_3 Single Crystal
- 差動容量型トランスデューサの高精度信号処理
- 3C12 Advantage of Using Highly Ordered Polymer-Dyes for Lasing in Chiral Nematic Liquid Crystals
- 1A15 REENTRANT SMECTIC PHASES SHOWING LARGE ELECTROCLINIC EFFECT IN A DICHIRAL LIQUID CRYSTAL
- Different Molecular Conformations in Ferroelectric and Antiferroelectric Liquid Crystals Studied by ^F-NMR Spectroscopy
- 強誘電体薄膜・微粒子におけるサイズ効果(つづき)
- 硫化亜鉛蒸着膜の構造に対する基板温度の影響 : 薄膜
- 六方晶BN粉末の紫外発光に対する熱処理の効果
- 二元電子ビーム蒸着法により作製したSrGa2S4:Eu薄膜のレーザアニール過程の解析 (情報ディスプレイ)
- C-9-6 ナノ構造埋込蛍光体粒子の提案と気相法による作製の試み(C-9.電子ディスプレイ,一般講演)
- ZnOスパッタ膜の諸特性に及ぼすIIIa元素添加の効果
- Stability of Antiferroelectricity Studied Using a Homologous Series of Antiferroelectric Liquid Crystals
- Collective Molecular Motion during V-Shaped Switching in a Smectic Liquid Crystal
- InSe電着膜の成長 : 基板としての電極材料の影響