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電通大 大学院電気通信学研究科 | 論文
- ニオブ集積回路における平行線路間の相互インダクタンス評価(超伝導エレクトロニクス)
- Nb集積回路における平行線路間の相互インダクタンス評価(単一磁束量子大規模集積回路技術の現状と将来展望、デジタル応用及び一般)
- 有機物バリヤを用いた高温超伝導トンネル接合の作製と特性
- C-8-3 2ヶ所で接続された2層グラウンド間での磁束量子化と磁気遮蔽効果(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 Stacked-SQUIDを利用した電圧増倍回路の動作検証(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-1 ヒステリシスのないジョセフソン接合を用いた間欠発振器に関する数値計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 分岐器と合流器を用いた単一磁束量子パルス数増倍器の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-3 SQUIDスタックを利用した電圧増倍回路セル(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- 入力離散化器付き単一電子トランジスタおよびターンスタイルの特性(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-8-1 近似モデルを用いた超伝導薄膜積層構造のインダクタンス計算(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-8 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路の多段接続動作(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-6 超伝導シールド層の接地間隔による相互インダクタンスの変化(C-8. 超伝導エレクトロニクス,一般セッション)
- C-8-2 超伝導シールド層の接地位置の違いによる相互インダクタンスの変化(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- NBCO超伝導薄膜上に堆積したNiO層の特性
- a軸配向NBCO下部電極を用いたランプエッジ接合の電気的特性
- 2次ステップを利用するジョセフソン電圧増倍回路(デジタル,一般)
- C-8-2 非対称2接合SQUIDを用いたゼロ・クロス・ステップの生成(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-1 超伝導体を島電極とする強磁性単電子トランジスタのスピン依存伝導特性(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
- C-8-3 高次ステップを利用するSFQ電圧増倍回路の設計(C-8.超伝導エレクトロニクス,一般講演)
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