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電通大量子・物質 | 論文
- 29pTB-8 希ガス(Ar,Kr,Xe)の低エネルギー電子衝突における副殻励起(29pTB 原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aYA-5 Xeの5s副殼励起領域における電子エネルギー損失スペクトル(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aXN-4 電子衝撃によるNO分子のγ,δ,ε系列の励起状態における一般化振動子強度(原子・分子)(領域1)
- 30pRF-4 ラマン散乱によるペロブスカイト型誘電体酸化物の構造相転移の研究(30pRF 誘電体(ペロブスカイト),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXN-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質I(原子・分子)(領域1)
- 20pXA-3 多価イオン-水素終端Si表面相互作用における表面化学反応(表面・界面ダイナミクス(半導体表面・実験),領域9(表面・界面,結晶成長))
- 20aYA-2 多価イオン照射によって水素終端シリコンから放出された2次粒子の観測(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 26pYA-8 多価イオン照射固体表面のラマン散乱2(原子・分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 15pTE-9 多価イオン照射により改質された固体表面の電子エネルギー損失分光法による研究(原子 分子, 領域 1)
- 15pTE-8 多価イオン照射固体表面のラマン散乱(原子 分子, 領域 1)
- 15pTE-7 多価イオン照射によるシリコン表面の改質 II(原子 分子, 領域 1)
- 29pXN-5 ナノプロセス用電子ビーム多価イオン源の設計(原子・分子)(領域1)
- 24aQD-8 高強度レーザーによる原子のstabilizationのダイナミクス(量子エレクトロニクス(超高速現象・高強度レーザー),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 23aTB-9 平面波展開法と FD-TD 法の比較によるフォトニックバンドの精度評価
- 30pXN-1 プロトン二電子移行反応によるO_2^の分光(原子・分子)(領域1)
- 28aXE-9 プロトン二電子移行過程による NO^ の分光
- 17aTA-9 二電子移行による水2価分子イオンの分光
- 23aYE-10 高強度2波長レーザーによる音響フォノンの高密度励起(誘電体・誘電体の光制御・光学応答,領域10,領域5合同講演,領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 29pSL-13 高強度真空紫外レーザーパルスによる水素原子陰イオンの光電子スペクトル(29pSL 原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21aRH-1 高強度真空紫外光による一次元模型原子の超閾イオン化スペクトル(量子エレクトロニクス(高強度レーザー・コヒーレント過渡現象・微小共振器),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
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