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電試 | 論文
- 計算機
- 表面物理
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- 7p-L-10 Niを添加したSiのライフタイムの変化
- 11p-M-6 気中クローバギャップの並列運転
- 磁性酸化物の結晶育成(技術者のために : 第XXXII回 結晶成長(15))
- 不純物帯電子の電流磁界効果(低温)
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- 16C7. Diffusion potentialの温度依存性について
- プラズマ中でのビームの拡がり
- 12p-N-3 電試25MeVベータートロン
- 鉱石検波器出力のBiasによる変化
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- Siの不純物帯とESR : 半導体 : マイクロ波
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- 14a-K-7 不均一InSbの電流磁気効果 III
- 5a-G-1 不均一InSbの電流磁気効果II
- 不均一InSbの電流磁気効果 : 半導体 : 不安定,輸送