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電試 | 論文
- 4p-G-6 不純物伝導に対する補償の影響
- N型Geの{100}内面における強電界異方性 : XX. 半導体
- マイクロプラズマ降服のAfter effect : 半導体 : ダイオード
- マイクロプラズマのトリガー機構 : 応用半導体
- 5E25 Ge蒸着膜感湿要素の特性
- 大面積2πガスフロー計数管 : IV. 原子核・放射線
- 火花ギャップの寿命試験
- 回折X線強度式の図解 : X線・粒子線
- 7a-E-12 Si,GeのX線表面反射
- Siの双晶面tipの観察 : 格子欠陥
- Siの双晶面と転位群 : 格子欠陥
- p型Siの磁気抵抗効果(半導体(電流,磁気,歪))
- 17G-11 低温におけるGe光電池の性質
- 10. 電気試験所小型スクリューピンチ装置について
- Quantameterによる高エネルギーX線のTotal Beam Energyの測定 : 原子核実験
- X線・電子回折の動力学的理論
- Sur la Resonance Magnetique Editions du centre national de la rechere scientifique, Paris, 1958, 115頁, 22×27.5cm.
- 色差
- 中間領域での不純物伝導
- 電気単位の修正