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阪大電顕セ | 論文
- 低エネルギー電子励起効果によるIII-V化合物半導体ナノ粒子の形態および相制御
- 15aTJ-3 格子欠陥を含む Au 表面原子ダイナミクスの UHV-TEM 観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 19pXB-10 GaSbナノ粒子における低エネルギー電子励起効果のサイズ依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・ナノ粒子・表面界面),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 化合物半導体ナノ粒子の電子励起効果と相生成
- 25aYK-2 GaSbナノ粒子における電子励起誘起相転移の低エネルギー励起効果(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 29pXD-6 III-V族化合物ナノ粒子における電子励起誘起相変化(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21pYM-6 GaSbナノ粒子における電子励起誘起相転移の励起エネルギー依存性(格子欠陥・ナノ構造(半導体・水素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 15aTJ-2 化合物ナノ粒子における電子励起相分離の電顕内その場観察(格子欠陥・ナノ構造, 領域 10)
- 28pXH-4 GaSbナノ粒子における電子励起誘起相転移の非線形応答(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
- 21aXA-10 GaSb ナノ粒子の電子励起誘起相分離とその電子線強度依存性
- 28pYG-7 電子励起による GaSb 化合物ナノ粒子の構造変化
- ナノ粒子における界面形成と構造安定性
- G-014 電子顕微鏡トモグラフィのためのマーカーフリーアライメント手法の検討(G分野:生体情報科学,一般論文)
- 金属間化合物Al_2Auにおける金原子の弾き出しエネルギー
- 静電破壊ビアホールの3D観察
- 高速・高品質・長時間成膜を可能とする新しい高耐久性Siターゲットの開発
- Al^イオン伝導性固体電解質を用いるアルミナナノ粒子単結晶の電気化学的育成
- 人に優しい医療用セラミック被覆穿刺針の開発
- 電子顕微鏡によって明らかにされた合金ナノ粒子における相平衡の特異性
- 格子欠陥の動的観察
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