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阪大院理:阪大産研 | 論文

• 27pTJ-13 シリコン中のCu不純物の安定配置(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aGQ-5 シリコン結晶中の銅不純物の安定配置(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 24aCD-9 シリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(24aCD 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19aAG-9 第一原理計算に基づくシリコン結晶中の銅不純物の安定配置(19aAG 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 28pPSA-10 Sb_2Teの電子構造とトポロジカル不変量の第一原理計算(28pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 28pXZB-12 第一原理計算に基づくシリコン結晶中の銅不純物の安定配置II(28pXZB 格子欠陥・ナノ構造(点欠陥・照射損傷・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 22aSH-5 ^Cuのβ-NMR測定(高スピン・核融合・宇宙物理・軽イオン,実験核物理領域)
• 25pPSA-6 シリコン結晶中の点欠陥銅不純物の第一原理計算(領域10ポスターセッション(格子欠陥・ナノ構造・誘電体・中性子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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