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金沢大理工 | 論文
- 27aYH-10 グラフェンナノリボンのキャリアドーピングによる磁性制御(27aYH グラフェン・グラファイト関連,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pYK-10 抵抗検出NMR法を用を用いたスカーミオンによる核スピン緩和異常の観察(20pYK 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 23p-J-8 高波長分解能と位置検出を目指したX線マイクロカロリメータの開発
- 25pYK-10 シリコン中原子空孔の大規模第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造(半導体,理論,力学物性),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aRB-11 シリコン中単原子空孔の構造に関する第一原理計算(21aRB 格子欠陥・ナノ構造(半導体・シミュレーション),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 27pPSB-1 マルチフェロイックBiCoO_3,PbVO_3の第一原理計算(27pPSB 領域3ポスターセッション(酸化物磁性,スピングラス・ランダム・アモルファス系,量子スピン系(一次元系,二次元系),量子スピン系(クラスターおよび一般),フラストレーション系,実験技術開発,磁性一般),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 15aRC-4 マルチフェロイック BiMnO_3 の軌道整列と電子状態 : 第一原理的アプローチ(マンガン酸化物 : 理論, 領域 8)
- 13aPS-55 マルチフェロイック AMO_3 (A=Pb, Bi, M=3d 遷移金属) の第一原理計算(低温 : 超伝導・金属絶縁体転移, 領域 8)
- 22aPS-68 反強磁性・強誘電性をもつ BiFeO_3 の第一原理計算
- 超伝導遷移端を用いた撮像型放射線検出器の開発
- 29aSL-11 超伝導遷移端(TES 型) X 線マイクロカロリメータの熱的・電気的応答とノイズ原因
- 26pPSB-39 Bi原子スケール薄膜の第一原理計算(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26pPSB-13 基板上グラフェンナノリボンの電子状態(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 28aRF-4 Bi{012}超薄膜における双安定性と相対論的効果(28aRF 格子欠陥・ナノ構造(シミュレーション・電子状態),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 21aPS-6 ペロブスカイト型Mn酸化物の格子ひずみと交換相互作用の第一原理計算(領域8ポスターセッション(低温),領域8,強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 27aYF-8 第一原理計算による half-Heusler 型熱電半導体の研究(密度汎関数法,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 14aPS-15 Half-Heusler 型熱電材料の第一原理計算(ポスターセッション, 領域 11)
- 14aTL-9 有機強誘電体 Phz-H2ca の第一原理計算(誘電体, 領域 10)
- 27aXQ-7 近藤半導体CeRhAsの高分解能光電子分光 : エネルギーギャップの特徴とその起源(光電子分光)(領域5)
- 22pPSB-30 鉄白金クラスターの電子状態および磁気異方性の第一原理計算(22pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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