スポンサーリンク
通研 | 論文
- X線顕微法による硫酸グリシンの観察(誘電体)
- 電子衝撃蒸着装置の試作とその応用 : 薄膜・超高真空管合同シンポジウム
- 10a-Q-13 SiへのAu拡散における空格子発生源
- 15a-G-12 シリコン中の金の挙動(III)
- 3p-L-2 シリコン中のAuの挙動(II)
- Si中のAuの挙動 : 格子欠陥
- 岩波講座 現代物理学
- B^(p,n)C^反応 : 原子核実験
- 閃亜鉛鉱型単結晶の電気光学的効果 : 光変調シンポジウム : 一般講演
- レーザー加工 : 電子ビームシンポジウム
- Fe-Ni-Mo合金の磁気異方性 : 磁性
- Si中のNi(半導体(拡散,エピタキシー)
- 4a-A-8 Si中のNiの挙動
- SiへのNiの固溶度 II : 半導体
- 7p-L-11 SiへのNiの固溶度
- 3p-C-1 BiSb合金系の遠赤外透過測定
- n型GaAs中のトラップ : 半導体・イオン結晶・光物性
- 不純物伝導におけるピエゾ抵抗効果(p-型ゲルマニウム) : 半導体(Si, Ge)
- 7a-A-2 不純物伝導のピエゾ抵抗効果 : P-型Ge
- Geの不純物伝導におけるピエゾ抵抗効果 II : 磁場依存性 : 半導体