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近畿大学生物理工学部電子システム情報工学専攻 | 論文
- 0.18μm SOI型CMOSプロセスに基づく高速且つ低エネルギーの横型統合CBiCMOSバッファ回路(低消費電力設計,信号処理,LSI,及び一般)
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- A-1-31 非対称LDD構造の高耐圧SOI-CMOSプロセスに基づいた統合CBiCMOS回路方式のレベルシフター(A-1.回路とシステム,一般セッション)