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豊橋技術科学大学電気・電子工学課程 | 論文
- Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子部品・材料)
- Si/3-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作 (電子デバイス)
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- CI-3-5 格子整合系GaNP/Si発光デバイスを用いた光・電子集積(CI-3.シリコンフォトニクスに関わるアクティブデバイス,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- 抵抗線温度計における位相補償系の校正方法の改善
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
- Si/III-V-N/Si構造を用いたLEDインジケータ付き1ビットカウンタ回路の製作
- 中真空におけるグロ-放電を介したア-ク点弧方式
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(MBE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- Si基板上光閉じ込め構造に向けたAlGaPN混晶の分子線エピタキシー成長(SiC,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- BCS-1-8 磁界共鳴方式における複数受電器へのマルチホップ電力伝送効率(BCS-1.新たな展開をみせる無線電力伝送技術とそれを支えるデバイス,シンポジウムセッション)
- BCS-1-8 磁界共鳴方式における複数受電器へのマルチホップ電力伝送効率(BCS-1.新たな展開をみせる無線電力伝送技術とそれを支えるデバイス,シンポジウムセッション)
- B-1-25 2次元マルチホップ電力伝送において複数受電器への均等な電力分配に関する一検討(B-1.アンテナ・伝播A(電波伝搬非通信利用))
- B-1-46 磁界共鳴を用いた二次元マルチホップ電力伝送における位置推定方法の検討(B-1.アンテナ・伝播A,(電波伝搬,非通信利用),一般セッション)
- B-1-18 磁界共鳴型二次元マルチホップ無線電力伝送システムにおける受電器の位置推定(B-1.アンテナ・伝播A(電波伝搬非通信利用))
- B-1-43 複数の共振器と結合した受電器への磁界共鳴型マルチホップ無線電力伝送における電力分配(B-1.アンテナ・伝播A,(電波伝搬,非通信利用),一般セッション)
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