スポンサーリンク
立命館大理工 | 論文
- 24pWF-4 (s, p, d)強束縛模型に基づいた遷移金属(Pt等)におけるスピン及び軌道ホール効果の理論(多軌道系(理論),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 19aXE-13 Sr_2MO_4(M=Ru,Rt,Mo)における巨大スピン・軌道ホール効果の理論的予言(19aXE 遷移金属酸化物(理論),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 23aXB-6 6H-SiC(0001)3×3再構成表面の構造と初期酸化過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aXB-4 Si(111)7×7表面上における極薄Au層の成長過程(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 23aRB-6 中エネルギーH、Heイオンの固体最表面での荷電変換(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 25pTE-8 NiAl(110)上に形成された極薄Al_2O_x膜の構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-8 中エネルギーイオン散乱と分子動力学計算によるNiAI(110)表面構造解析(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 22aXJ-11 6H-SiC{0001}-3×3表面の構造と酸素および一酸化窒素の吸着構造(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21aXJ-2 Ni(111)の極薄Au膜成長とO_2,NOの吸着(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pTG-6 6H-SiC(0001)-C終端3×3表面の構造と電子状態(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 26aYC-10 6H-SiC(1120)清浄表面の酸窒化過程 : 界面の構造とキネティクス(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aYC-9 SiC(0001)-3×3表面の構造と電子状態(26aYC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 27aYB-5 Ni(0.2-10ML)/6H-SiCの構造と電子状態分析(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-2 極薄Ni/SiC(0001)表面における2√×2√構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 22pYE-1 極薄Ni/SiC(0001)表面における擬3×1構造の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 19aYA-6 中エネルギーHeイオンの結晶表面での荷電変換過程(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aWB-3 極薄Ni/SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(II)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-2 極薄Ni/6H-SiC(0001^^-)表面の原子配列と電子状態(I)(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aWB-1 第一原理計算による6H-SiC(000-1)2×2表面構造と電子状態(表面・界面構造, ダイナミクス,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 13aTG-9 低、及び中エネルギー領域でのイオン後方散乱における標的電子の応答効果(放射線物理, 領域 1)
スポンサーリンク