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神戸工業 | 論文
- ウラン選鉱用放射線測定装置 : IV. 原子核・放射線
- Lang法によるepitaxially grown Si中の転移の観察 : 半導体 : 測定法
- 14p-A-6 InSbのp-n junction
- PN接合型半導体検出器の分解能と雑音 : 放射線物理(検出器)
- 7p-L-12 Si中のPの拡散
- 14p-A-14 酸化被膜をつけたSi表面
- 14p-A-13 Heavy dopingしたSi中の不純物擴散
- 塑性変型されたゲルマニウムP-n接合特性 : 半導体
- 酸化被膜をつけたSi表面と雑音の関係 : 半導体
- Si酸化被膜の性質 : 半導体
- Si酸化膜の二・三の性質 : 半導体
- 酸化被膜をつけたSiP-N接合の電気的特性 : 半導体
- 4a-L-3 ゲルマニウム單結晶の塑性変形
- ゲルマニウムp-n接合特性と塑性変形(II) : XX. 半導体
- 20L-16 ゲルマニウムP-n接合特性と塑性変形
- 6a-H-1 超高速度カメラの試作とプラズマ觀測
- Si酸化膜の光吸収 : 半導体
- 7a-L-10 酸化被膜をつけたSi P-n接合の放射線損傷
- 20L-12 Ge p-n接合をシリコンレジンに侵した時の雜音
- 19F-19 Ge P-n接合の雜音と逆方向特性