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神奈川工科大学工学部電気電子工学科 | 論文
- 接触電位差によるSiウェーハ表面層評価
- Cat-CVDアルミナMISゲートの作製と特性
- Siウェーハ表面層のマイクロ波光導電周波数応答による評価
- UV/ミリ波PCD法における最大感度条件とSiエピタキシャルウェーハおよび極表面層評価
- 電子ビームによるシリコン表面層のトモグラフィの検討
- Si表面層H_+イオン注入ダメージのパルス光電導振幅(PPCA)による評価
- 熱起電力型フローセンサー
- 電子ビームを用いたSiウェーハ表面層評価法の検討
- 水素イオン注入Siウェーハ表面層のPCAによる評価
- 鏡面研磨Siウェーハ表面層のパルス光導電振幅による評価
- C-3-7 液晶偏光制御素子を用いた1.31μ帯4×4チャンネル平面型光スイッチ
- 強誘電性液晶を用いた反射型偏光制御素子の設計
- C-3-6 強誘電性液晶偏光制御素子を用いた4×4チャンネル空間形光スイッチ(光スイッチ(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- TDI手法を用いたCCDカメラのS/N向上の実験と解析(画像技術・視覚・その他一般)
- 多画面マルチメディア端末における最適画面数の検討
- カラー画像のスペクトル傾斜における一検討
- カラー画像のスペクトル傾斜における一検討
- 自然画像の感性的特徴
- 高精細度一次元CCDによる実画像画質解析
- 高精細度一次元CCDによる実画像画質解析(画像技術・視覚・その他一般)