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神奈川工科大学基礎・教養教育センター | 論文
- ボース・アインシュタイン凝縮体における粒子生成 : 曲った時空とのアナロジー(最近の研究から)
- 21pTB-4 ボース・アインシュタイン凝縮体と曲った時空のアナロジーの新たな平均場理論による定式化(21pTB 量子エレクトロニクス(冷却原子気体),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 22aZD-13 膨張・収縮ボース・アインシュタイン凝縮体における粒子生成のシミュレーション(22aZD 量子エレクトロニクス(Bose原子系,Fermi原子系,および混合系の理論),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- The Parents and the Children of Non-Weierstrass semigroups (Algebras, Languages, Algorithms in Algebraic Systems and Computations)
- NISTで提案されているNon-overlapping Template Matching Testの修正案
- 24aRF-6 ボース・アインシュタイン凝縮体における粒子生成2 : ホーキング輻射の検証にむけて(量子エレクトロニクス(Bose原子系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22pRG-2 ボース・アインシュタイン凝縮体における粒子生成 : 曲がった時空上の場の量子論とのアナロジー(量子エレクトロニクス(Bose原子系・Fermi原子系の理論),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 数体上の代数群に由来する或る種の線型不等式系について (解析的整数論とその周辺)
- 磁性半導体中の不純物電子状態
- 19pTA-11 磁性半導体における不純物バンドの形成(磁性半導体,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 12pXA-7 動的 CPA から見たキャリア誘起強磁性のメカニスム(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 3)
- 12pXA-7 動的 CPA から見たキャリア誘起強磁性のメカニズム(主題 : スピン制御半導体の電子構造 : 光で捉える磁性状態, 領域 5)
- 12pPSA-1 希薄磁性半導体の電気伝導度(領域 4)
- 27aYA-9 希薄磁性半導体の電気伝導度(磁性半導体)(領域4)
- 21aTH-7 希薄磁性半導体におけるメタ磁性
- 31pYH-8 キャリア誘起強磁性のキュリー温度の限界
- III-V族半導体中に形成された磁気的不純物バンド
- 希薄磁性半導体の状態密度、光学吸収端およびバンド端の磁性イオンモル濃度依存性
- Dynamical coherent potential approach for the s-f model in antiferromagnetic semiconductors
- 17aYH-1 磁気的不純物バンドの形成と強磁性の出現
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