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産総研ナノテク部門 | 論文
- プラズマCVD法によるステップフリーダイヤモンド(111)表面の形成(ダイヤモンド成長)
- 7aSK-1 4H-SiC中におけるC3v対称を持つ電荷-1のSi単原子空孔のESRによる研究(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- 9pSE-6 強磁性体/カーボン(またはBN)ナノチューブ/強磁性体の磁気抵抗効果に関する理論的研究(ピーポッド,BNチューブ,グラファイト関連,領域7)
- 25pXN-6 6角格子系に特徴的な励起子状態について(25pXN ナノチューブ・グラファイト関連(理論),領域7(分子性固体・有機導体分野))
- 25pWE-4 SiCのアンチサイト型欠陥の電子スピン共鳴法による構造決定(25pWE 領域,領域10合同アモルファス,不純物・格子欠陥,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 24pYD-3 Theory for Difference between Photoinduced Phase and Thermally Excited Phase(III)