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理研XFEL | 論文
- 特集号「EUV SASE-FEL利用の展開」に寄せて
- 28p-S-13 放射光光電子分光によるSi(001)表面上Ag超薄膜内の量子化状態研究
- 14pRC-12 レーザー励起極低温超高分解能光電子分光によるシリコンクラスレート超伝導体の超伝導キャップの研究(MgB_2 : MgB_2 とその他の超伝導, 領域 8)
- 22aRB-8 (Me-3,5-DIP)[Ni(dmit)_2]_2の光電子分光(dmit・κ・τ塩,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aTQ-9 更なる極低温・超高分解能を目指した新型レーザー励起光電子分光装置の開発2(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
- 22aTQ-10 新型超高分解能レーザー光電子分光装置を用いた低温超伝導体Li_2Pt_3Bの研究(光電子分光・放射光真空紫外分光,領域5,光物性)
- 21pWG-2 高温超伝導体Bi_Sr_CaCu_2O_におけるノード準粒子の温度依存性(高温超伝導(ARPES(I)),領域8,強相関係:高温超伝導,強相関f電子系など)
- 18aWK-1 高温超伝導体Bi_Sr_CaCu_2O_のレーザー励起角度分解光電子分光 II(18aWK 高温超伝導(光電子分光),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 21pWG-4 レーザー光電子分光によるKOs_2O_6の超伝導電子状態の研究(21pWG パイロクロア(超伝導),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 28aPS-62 UBe_の電子構造 : 密度勾配効果
- 「EUV SASE-FEL利用の展開」の企画にあたって
- 28a-Q-5 Hydrogen-induced 3x1 phase on the Si-rich 3C-SiC(001)surface
- 28a-YR-3 Surface band structure of anomalous carbon dimers on the 3C-SiC(001)c(2x2) surface
- 27a-PS-44 Si(001)表面上のAgの低温層状成長と量子閉じ込めの研究
- 1p-YE-11 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究III : Ag4d準位の表面積構造依存性
- 7a-PS-19 角度分解光電子分光法によるSi(001)1x2-Ge表面の電子構造研究
- 5a-H-1 Si(001)表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究II : Si(001)c(6x2)-Ag表面
- 31p-F-4 Si(001)2×1表面上のC_2H_2, C_2H_4の吸着 : -NEXAFSと光電子分光を用いた研究
- 28p-YR-2 Pb吸着Si(111)表面上の整合-不整合転移における電子状態の変化と電気伝導
- 29a-PS-16 Si(001)2×l表面上Ag吸着系の表面電子構造の研究I : Si(001)2×3-Ag表面
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