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理化学研究所 | 論文
- 電子構造計測から探るDNA分子内の電荷移動機構
- 25aYH-4 Cu(111)表面に吸着した(CH_3S)_2の選択的分解反応のメカニズム(ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 分子振動を利用した単分子操作
- 21aXA-2 電極表面上のカーボンナノチューブの電子状態への界面散乱効果の観測(21aXA 領域9,領域7合同 ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 26aTG-3 金属単結晶表面上におけるカーボンナノチューブの局所電子状態のSTM分光(ナノチューブ(構造・電子状態),領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aTD-4 STMを用いた銅表面吸着一酸化炭素分子の動力学(表面界面ダイナミクス,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-11 遷移金属表面上に吸着した孤立水分子の表面ダイナミクス(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- 21pXL-12 金属表面上における単分子ホッピング運動の方向制御(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Pt(111)表面に吸着した水分子モノマーおよびダイマーの表面ダイナミクス
- 22pGJ-1 Py/Ag面内スピンバルブ構造におけるスピン拡散長の温度依存性(22pGJ スピン流,スピンホール,スピンゼーベック,領域3(磁性,磁気共鳴))
- 12p-DH-7 Si(001)2×1表面上の欠陥周辺からの異方的な電界蒸発
- 30p-H-2 STMにおけるSi(001)2×1表面からの電界蒸発
- 原子単位での加工とその機構(「超」を実現するテクノロジー)
- 28a-Y-8 STMにおける電界蒸発の機構
- 28a-Y-6 STMによる電界イオン放出の理論
- 30p-ZF-4 STMにおける電界蒸発と表面加工 II
- 27p-E-6 STMにおける電界蒸発と表面加工
- 1P19 CRE結合蛋白質(CRE-BP1/ATF2)の転写活性化ドメインの構造解析
- CRE結合蛋白質CRE-BP1のZnフィンガー様モチーフの構造解析
- FESを用いたSWING-THROUGH歩行による対麻痺歩行の再建 : 歩行シミュレーションと臨床応用(機械力学,計測,自動制御)
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