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理化学研究所表面界面工学研究室 | 論文
- 走査プローブ法によるリソグラフィーの方向性-ナノ構造の構築からその物性や機能の計測へ-
- 電気伝導シミュレーションの現状と課題(電子状態の第一原理計算の現状と課題)
- 31p-S-3 Si(001)表面上のGe成長におけるサーファクタント被覆率依存性
- 29a-WB-5 CaF/Si(111) の成長と欠陥形成の機構 : STMによる観察
- 15a-DJ-7 Si(111)1x1-CaF表面におけるSTM観察
- 30p-G-10 Si(001)表面上のGeのサーファクタント媒介エピタキシー : CAICISSによるリアルタイム観察・制御
- 27a-ZS-7 Si(111)金属吸着表面上のGe成長 : CAICISSによるリアルタイム追跡
- 27aXD-4 ナノ領域での量子伝導計算 : RTM法と非平衡グリーン関数法の融合(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 27aXD-3 非平衡グリ-ン関数法による電極接合ナノチューブの電気伝導の第一原理計算(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
- 6a-B4-12 CaF2(111)表面の欠陥の構造と化学状態
- 6a-B4-11 Si(111)-√3×√3Ag表面の構造のCAICISSによる研究
- 28a-T-1 Pt(111)での吸着水分子のクラスター形成
- 磁性ポイントコンタクトにおける磁気抵抗の理論的研究
- 摩擦にともなう表面の変形と摩耗の素過程
- 磁石の摩擦
- 23aW-12 水素終端Si(001)表面のナノ構造からのSTM発光
- シリコンダングリングボンドからなるナノ構造のSTM誘起発光
- STMリソグラフィーによるシリコンダングリングボンド細線の形成とその修飾
- 水素終端Si(001)表面からのSTMによる水素脱離II
- 1a-YA-3 水素終端Si(100)表面からのSTMによる水素脱離