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物材機構:JST-CREST | 論文
- 24aYC-13 光誘起強磁性のスイッチングメカニズム : 核生成過程の光励起状態における準安定緩和と非平衡定常状態
- 28p-ZG-11 光誘起強磁性のスイッチングメカニズム : 光照射による系の実効的パラメーターの変化
- 25pTE-11 体積変化を伴う双安定システムにおけるドメイン壁の構造と伝搬(25pTE 古典フラストレート系・古典スピン系一般,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
- 25aHC-1 スピンクロスオーバー系における弾性相互作用がもたらす結晶形状に依存した核生成ダイナミクス(25aHC 光誘起相転移(錯体化合物,TTF-CA,グラファイト),領域5(光物性))
- 27pTJ-9 シリコン中10原子空孔の電子状態(27pTJ 格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- Quantum Monte Carlo method for magnetization process〔和文〕 (量子効果が顕著な役割を果たす磁性現象の新展開)
- 格子の不均一さによる磁気構造の出現(基礎物理学研究所短期研究会「量子効果が顕著な役割を果たす磁性現象の新展開」,研究会報告)
- 28a-PS-110 準安定磁性秩序状態と非磁性基底状態間のスイッチングダイナミクス : 光誘起強磁性の可能なメカニズム
- 21aTC-11 スピンクロスオーバーモデルにおける長距離的弾性相互作用がもたらすスケールフリーな緩和現象(21aTC 光誘起相転移(酸化物・シアノ錯体),領域5(光物性))
- 22aGQ-9 シリコン中10原子空孔の特異な電子構造(22aGQ 格子欠陥・ナノ構造(シリコン系材料),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
- 23pPSA-32 第一原理計算による磁性電極に挟まれた分子の伝導特性(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 21aTG-7 カーボンナノチューブ内の水分子構造と水分子モデルの関係(21aTG ナノチューブ1,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aXB-7 掃引磁場下での磁性体の動的応答 : 非断熱遷移におけるノイズ効果
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