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湘南工科大学大学院電気情報工学専攻 | 論文
- MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路のパターン面積の検討
- 低消費電力型デバイスを用いたシステムLSIの設計法(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 2P-2 しきい値電圧以下で動作するシステムLSIの研究(設計自動化,学生セッション,アーキテクチャ)
- MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路のパターン面積の検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- MOSダブルゲート/CNTトランジスタを用いた再構成可能な論理回路のパターン面積の検討(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- C-2-11 能動負荷を用いた反射型移相器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-27 多周波共振回路を用いた周波数可変差動増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-1 共振器をチップインダクタのみで構成したハートレー発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-20 周波数および通過位相可変デュアルバンド差動増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-19 周波数可変帯域反射型マルチバンド差動増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- C-2-1 共振器をチップキャパシタのみで構成したコルピッツ発振器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 低電力トンネル型トランジスタを用いたシステムLSI/メモリの設計法(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- トンネル型トランジスタを用いたシステムLSIとSEAセル型DRAMの設計法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 低電力トンネル型トランジスタを用いたシステムLSI/メモリの設計法(先端テクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 能動負荷を用いたデュアルバンド反射型移相器(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
- 阻止帯域可変デュアルバンド低雑音差動増幅器(一般講演,パワーデバイス及び超高周波デバイス/マイクロ波一般)
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