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株式会社日立製作所中央研究所 | 論文
- ESCAによる極薄シリコン酸化膜の厚さの測定 (表面,界面分析の工業的応用)
- 化学蒸着したタングステンとSiO2との密着性の評価
- ESCAで測定されたSi2p準位に与えるX線照射の影響
- 化学蒸着した珪化タングステン薄膜と多結晶シリコンとの密着性の評価
- Mo/Si界面でのSi酸化物の生成
- アルミニウム蒸着時のシリコン基板の酸化
- MOS超LSI用ゲ-ト電極材料("機能材料・新素材"シリ-ズ-10-)
- 「金属と水」ミニシリ-ズ-3-シリコン半導体素子と水
- Si-SiO2界面状態の分析 (「粒界・相界面」)
- 半導体製造技術の向上に対するESCAの実用化と問題点
- X線照射による絶縁被膜の帯電
- ESCAで測定されたSi酸化膜の化学シフト
- ESCAで測定する絶縁薄膜の化学シフトに対する疑問
- LSI用電極・配線材料の腐食
- 分子線エピタキシーにおける結晶成長モードと成長温度
- パケットトランスポート網における帯域試験機能(トラヒックエンジニアリング,トラヒック,NW評価,性能,リソース管理・制御,トラヒックエンジニアリング,NW信頼性・レジリエンシ,一般)
- パケットストリーム処理における正規表現選択演算を含む問合せ最適化(コンピュータシステム技術2,組込み技術とネットワークに関するワークショップ ETNET2010)
- パケットデータ管理基盤における情報抽出処理の効率化技法(コンピュータシステム技術2,組込み技術とネットワークに関するワークショップ ETNET2010)
- ディジタルニューロチップの開発
- MPLS-TP網の帯域保証を目的としたシェーパの評価(トラヒックエンジニアリング,トラヒック,NW評価,性能,リソース管理・制御,トラヒックエンジニアリング,NW信頼性・レジリエンシ,一般)
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