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株式会社トリマティス | 論文
- AGCにおける過渡的な利得変動抑制の高速化(フォトニックネットワーク/制御,光制御(波長変換・スイッチング等),光波/量子通信,GMPLS,アクセス網技術,一般)
- 2a-Q-6 PbSe(111)(√×√)R30°の高分解能RBSによる観察
- 29a-YS-7 SnTe(001)表面で鏡面反射したMeVプロトンのエネルギーストラグリング
- 31a-ZA-4 ランプアニール後のAs注入Si基板の残留欠陥
- C-3-99 高速応答型VOAを用いた光自動減衰量制御モジュールの開発(C-3. 光エレクトロニクス(VOA), エレクトロニクス1)
- C-3-57 熱レンズ形成素子を用いた偏向型光スイッチの検討について(光スイッチ・変調器,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-78 532〜1640nm対応電気光学型可変光減衰器の開発(補償デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-1 熱レンズ形成素子を利用した偏向方法の検討(光スイッチ(I),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-57 光制御型光スイッチの開発(光スイッチ・変調器(2),C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-24 電気光学型可変光減衰器を用いた高速光オートレベルコントローラの開発(光信号処理・波長変換,C-3.光エレクトロニクス,一般講演)
- C-3-98 電気光学型可変光減衰器の減衰量波長依存性低減化(C-3. 光エレクトロニクス(VOA), エレクトロニクス1)
- 超高速光波形リアルタイム観測のための全光A/D変換用多周期非線形光ループミラー(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- C-3-3 WDM用可変スペクトル等化器の開発
- B-10-28 高速VOAを備えたAGC光増幅器の利得過渡応答特性(B-10.光通信システムB(光通信),一般セッション)
- シャッタ機能付き可変光減衰器
- C-3-39 光制御型1×7光スイッチの検討(光スイッチ,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 利得変動抑圧光増幅器・高ダイナミックレンジ光パケットレシーバを用いた光パケット・光パス統合ネットワークの170kmフィールド伝送試験(コア・メトロシステム,フォトニックネットワーク・システム,光ネットワーク運用管理,光ネットワーク設計,トラヒックエンジニアリング,シグナリング,GMPLS,ドメイン間経路制御,ネットワーク監視,イーサネット,光伝達網(OTN),高速インタフェース,光制御(波長変換・スイッチング・ルーチング),光ノード技術,光クロスコネクト(OXC),光分岐挿入多重(OADM),光多重・分離
- C-3-53 高速・低損失・小型VOAの検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- B-13-39 近距離ライダー向け信号処理回路の開発(B-13.光ファイバ応用技術,一般セッション)
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