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東芝ULSI研 | 論文
- 30a-M-10 "高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴"[V]
- 30a-M-9 "高電場内Cu_2Oのパルス光伝導の異常な温度依存症"[I]
- 単結晶アルミニウム配線技術 (ULSI先端技術)
- 27a-R-4 CO_2シークエンスレーザーにおける回転緩和 : 異種ガスの影響とレート方程式
- Al薄膜リフロー過程の電顕内その場観察
- 27a-ZG-11 高密度光励起状態Cu_2Oでのサイクロトロン共鳴 IV : 非線形光学サイクロトロン2重共鳴
- プラズマエッチング技術
- 高アスペクト比コンタクトホール加工における SiO_2/Si_3N_4 選択エッチング特性
- 30a-C-1 AgCl_xBr_混晶内ポーラロンのサイクロトロン共鳴 II : マイクロ波電場依存性
- 24a-W-5 高純度AgCl_xBr_混晶の赤外反射スペクトル
- 4a-E-15 AgCl_xBr_ 混晶内の自由励起子発光
- 30a-Y-11 AgCl_xBr_混晶内ポーラロンのサイクロトロン共鳴 : マイクロ波電場依存性
- 3. 微少量・高精度・極限に迫る GaAs単結晶の格子間隔の高精度測定
- 25a-S-12 BaTiO_3の立方晶構造に関するモデル計算
- 2p-L-2 BaTiO_3の自発変形と相転移機構
- 30a-RD-7 BaTiO_3の逐次相転移と立方相のイオン分布
- 1p-UB-1 BaTiO_3の逐次相転移の理論I
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