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東芝総研 | 論文
- Co基フルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- プラズマ酸化法により作製したCoフェライト膜の構造, 磁気およびバリア特性
- MRAM開発の現状と将来 (特集 磁気ストレージ・メモリ分野における磁性材料のナノ革新)
- エアロゾル・デポジション法により作製したFe/Ni-Zn-Cuフェライト複合膜における組成制御と電磁ノイズ抑制効果
- L2_1構造を持つCo_2CrGaフルホイスラー合金薄膜の作製とそれを用いた強磁性トンネル接合素子のトンネル磁気抵抗
- MgO基板上に作製したCo_2V_Fe_Al薄膜の構造と磁性およびトンネル磁気抵抗(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alを用いた強磁性トンネル接合のTMR特性(薄膜)
- 不規則構造を有するCo_2(Cr_Fe_x)Alフルホイスラー合金を用いた強磁性トンネル接合の磁気抵抗効果
- Co基フルホイスラー合金を用いたMTJのTMR特性
- 10a-K-2 JFT-2におけるプラズマ境界量の測定
- [9] プラズマのガラス転移 (強結合プラズマ)
- 集積化波長制御半導体レ-ザ
- 波長制御半導体レ-ザ-用高精度微細回折格子の作成
- 9a-Q-2 表面障壁型GaAs検出器における内部増幅減少
- 1a-E-5 FET-電荷型前置増幅器
- 1a-E-4 Gallium Arsenide Radiation Detectors
- 1a-E-1 特殊な小形半導体検出器
- 10p-A-3 同軸型Ge(Li)検出器
- 3p-H-5 Ge(Li)検出器III
- 透過形マルチ・チャンネル半導体検出器 : 原子核実験