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東芝半導体 | 論文

• 30a-U-4 水素イオン照射による Si 中ドナー生成と焼鈍特性
• 2a-A-2 プロトン照射によるSi中のドナーの生成
• 4p-K-10 Si表面反転層の電子移動度 III
• Si反転層のキャリア移動度の異方性 : 半導体

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