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東理大 理 | 論文
- 1a-SC-6 単斜晶及び正方晶RbD_2PO_4の圧力効果
- 28a-A-4 Siにイオン注入されたB, As濃度分布及び注入ダメージの解析
- 27aYJ-1 RbH_2PO_4の高温相転移 II
- 6p-F-16 ErCrO_3における磁場誘起スピン再配列の動特性 III
- 4p-P-15 V_2H単結晶の機械的性質
- 4a-Q-4 V_2Hの応力誘起相変態
- 1a-M-7 低温加工したAlのステージI-IIでの活性化エネルギー
- 2p GJ-13 単結晶加工途上での転位分布を探るひとつの方法 II
- 6a-DQ-3 単結晶加工途上での転位分布を探るひとつの方法
- CSL界面エネルギーに関する一考察 : 基礎IV
- 26aYL-8 高濃度As注入Si基板中に形成された不活性Asクラスターの構造
- 25p-K-10 動力学計算を用いたSi結晶の格子定数の精密測定。
- 25a-T-11 CBED法によるランプアニール後のAs注入Si基板の構造解析
- CBED法によるSi中のB, As濃度分布の決定
- 2D11 チオフェン環の3位にメソゲン基を有する液晶性ポリチオフェンおよび共重合体の合成とそれらの電気化学的特性
- 26pWH-7 水素添加によるLnFeAsO系超伝導体(Ln=Ho,Er,Y)の高圧合成(26pWH 鉄砒素系超伝導(置換効果),領域8(強相関系:高温超伝導,強相関f電子系など))
- 2a-KB-2 アルカリ土類ハライド結晶の応力変調スペクトル:CaF_2
- 4p-G-5 ポリイソブテンのNMR相関スペクトル
- 31a-YK-8 C_の遠赤外分光 II
- 6a-M-2 ポリチオフェンの光音響分光III