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東理大 理 | 論文
- 29p-YC-2 イオン打ち込みされたSiの回復過程でのSb析出物
- 3a-X-9 Si中にイオン打ち込みされたSbの析出
- 5p-NJ-6 ビスマスの過冷却液体の密度測定
- 1a-Q-13 歪を加えたビスマスの転位による伝導電子の散乱
- 4a-J-11 歪を加えたBiのアルフェン波,サイクロトロン共鳴,シェブニコフ・ドハース振動
- 29a-J-13 レーザービームを用いた固体ビスマスの比熱測定
- 28a-J-9 低温領域におけるBi単結晶の臨界剪断応力
- 2p GJ-3 ビスマス中の転位と帯磁率
- 5a-DQ-10 塑性変更されたビスマス単結晶の電流磁気効果
- 5a-Z-13 Bi系超伝導薄膜の遠赤外線領域における透過スペクトルの磁場依存性
- 5a-Z-11 Bi系超伝導薄膜の遠赤外領域における透過スペクトルの温度依存性
- 1p-F-9 超強磁場中PbI_2の励起子スペクトル
- 多結晶Siへの不純物拡散 I. n型不純物と粒界準位とのCompensation : 半導体 (拡散・インプランテーション)
- 電子状態密度のエネルギー変化を持つ強結合超伝導体の同位元素効果
- 状態密度のエネルギー変化を考慮したEliashberg理論による超伝導ギャップの温度依存性
- 13a-D-2 Alkali-doped C_の超伝導と光学応答
- 1p-PS-13 Alkali-doped C_の超伝導に関与するフォノンモード
- 4a-KC-8 液体^3He中の零音波
- 6a-Q-3 液体ヘリウムIIに於ける素励起について
- 11a-N-4 A Method of Cellective Description of Elmentary excitaions in liqnid He II