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東理大総研 | 論文
- 13a-C-4 α-Et_2Me_2N[Ni(dmit)_2]_2の強磁場下磁気抵抗
- 29p-T-9 Cl/Cu(100)表面上のCl原子の熱振動異方性
- Cu(100)表面上の塩素原子の熱振動異方性
- 1C01 高分子/液晶ハイブリッド薄膜の光誘起物質移動
- 28p-YJ-6 α-EDT-TTF[Ni(dmit)_2]の物性 II
- 13a-C-5 常圧超伝導体α-EDT-TTF[Ni(dmit)_2]の物性
- 28p-K-6 α-BETS_2I_3の圧力下の磁気抵抗
- 2E06 色素系リオトロピック液晶の配向と構造
- C325 消火設備作動時における区画火災性状の数値シミュレーション(C-32 混相流・機能性流体(2),一般講演)
- 26aHB-11 時間分解光電子分光から見た近藤半導体YbB_の混成ギャップ形成(26aHB 光電子分光(強相関系・表面・薄膜・時間分解),領域5(光物性))
- 22aTN-5 時間分解光電子分光から見た近藤半導体YbB_の混成ギャップ形成II(22aTN 光電子分光(強相関系),領域5(光物性))