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東理大理:CREST-JST | 論文

• 15aPS-5 時間依存密度汎関数法による炭素ナノ構造の光学吸収スペクトル(領域 9)
• 22pPSB-30 グラフェンナノリボンのフォノン伝導に及ぼすSW欠陥の影響 : 非平衡グリーン関数法と波束法による解析(領域9ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-64 グラファイトリボン中の局所欠陥による完全フォノン反射と渦熱流(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-76 グラファイトリボンの光学吸収スペクトルの計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 炭素ナノ構造の電界放出機構 : 原子からダイヤモンドまで
• 27pPSA-4 ナノ構造からの電界電子放射機構(領域9ポスターセッション)(領域9)
• 20aPS-70 ゲート電圧によるカーボンナノチューブの電気伝導制御(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-65 局在基底密度汎関数法+非平衡グリーン関数法によるカーボンナノチューブ・デバイスの電気伝導解析(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27pUF-10 ピーポッド安定秩序構造の分子動力学シミュレーション(27pUF ナノチューブ構造・物性,領域7(分子性固体・有機導体))
• 30aPS-15 炭素ナノ構造からの電界電子放出に関する第一原理計算(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 21aPS-28 時間依存密度汎関数法とリカージョン伝達行列法による電界電子放射現象の解析(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 30aPS-60 空間分割密度汎関数法による二重接合系電子状態の解析(30aPS 領域9ポスターセッション(表面,界面,結晶成長),領域9(表面・界面,結晶成長))
• 20aPS-9 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算II(ポスターセッション,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 25pPSB-7 電界電子放射により表面原子に働く力の第一原理計算(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aYD-9 ダイヤモンド表面の電界電子放出に及ぼす水素欠陥の効果

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