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東洋大工 | 論文
- D215 地上重力場におけるTravelling Liquidus Zone 法による化合物半導体InAs-GaAsの育成(オーガナイズドセッション14 : 固・液相変化を伴う熱・物質移動及び流動の基礎と応用)
- 微小重力場における均質組成InGaAsの結晶育成
- 26aRA-1 有機物挿入バーミキュライトの焼成によるグラフェンの生成とラマン評価(26aRA 炭素系物質,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30p-YN-3 Eu,Dy添加BaAl_2O_4結晶の発光特性
- 25aYD-5 エレクトライド12CaO・7Al_2O_3のラマン散乱および磁気測定(クラスレート・ゼオライト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 還元ペロブスカイト型複酸化物触媒によるメタンと二酸化炭素との反応
- 27pXA-11 Alを用いたInSb,InNナノ細線の生成とラマン散乱(低次元物質・非線形光学・緩和励起子他,領域5,光物性)
- 25aXB-8 InSbナノドットのホットキャリアによる増幅ラマン散乱の温度依存性(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
- 28aYG-5 ヨウ素挿入ゼオライトの電気伝導度測定(28aYG ゼオライト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 30aVD-4 FIB照射によるInSbナノドット生成とそのホットキャリアーによるラマン散乱(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
- 22aPS-53 ヨウ素挿入C12A7のラマン散乱とX線回折による評価(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aPS-52 Gaイオンビーム照射によるSi基板上でのInSbナノドット生成とラマン散乱による評価(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 22aPS-51 アルミニウム基板を用いたInSbナノ細線の生成とラマン評価(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 21aYH-9 InSbナノドット,ナノ細線,バルク結晶のホットキャリアーとラマン散乱強度増幅(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
- 26aTF-6 ヨウ素挿入ゼオライトのラマン散乱(ゼオライト・クラスター,領域7,分子性固体・有機導体)
- 21aTR-8 InSbナノドット、ナノ細線の生成と共鳴ラマン散乱(微粒子・ナノ結晶,その他,領域5,光物性)
- 24pRB-10 ヨウ素挿入ゼオライトFAU、LTAの電気伝導度測定(ゼオライト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19aZB-3 InSbナノドット・ワイヤーのanti-Stokes蛍光と2次ラマン散乱強度増幅(微粒子・ナノ結晶,表面・薄膜,領域5,光物性)
- 28pPSB-9 InSb細線の生成と蛍光スペクトルの温度依存性(28pPSB 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 25pPSB-47 エレクトライドC12A7の結晶の生成とラマン散乱による評価(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
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